NP16N06YLL Todos los transistores

 

NP16N06YLL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP16N06YLL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP16N06YLL Datasheet (PDF)

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NP16N06YLL

Data Sheet NP16N06YLL R07DS1124EJ010060 V 16 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Oct 30, 2013Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 35 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss: Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V,

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NP16N06YLL

Preliminary Data Sheet R07DS0362EJ0100NP16N04YUG Rev.1.00Jun 13, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss: Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed f

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History: MMD65R600QRH | CEP01N65 | 2SJ75 | SWI7N70K | BLP02N06L-D | SSF4607D | BLP02N06-Q

 

 
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