NP16N06YLL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP16N06YLL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP16N06YLL datasheet

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NP16N06YLL

Data Sheet NP16N06YLL R07DS1124EJ0100 60 V 16 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Oct 30, 2013 Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 35 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V,

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NP16N06YLL

Preliminary Data Sheet R07DS0362EJ0100 NP16N04YUG Rev.1.00 Jun 13, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed f

Otros transistores... NP160N04TDG, NP160N04TUG, NP160N04TUJ, NP160N04TUK, NP160N055TUJ, NP160N055TUK, NP161N04TUG, NP16N04YUG, CS150N03A8, NP180N04TUG, NP180N04TUJ, NP180N04TUK, NP180N055TUJ, NP180N055TUK, NP20N10YDF, NP20P04SLG, NP20P06SLG