Справочник MOSFET. NP16N06YLL

 

NP16N06YLL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP16N06YLL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: HSON
 

 Аналог (замена) для NP16N06YLL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP16N06YLL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  renesas
 np16n06yll.pdf pdf_icon

NP16N06YLL

Data Sheet NP16N06YLL R07DS1124EJ010060 V 16 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Oct 30, 2013Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 35 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss: Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V,

 8.1. Size:219K  renesas
 np16n04yug.pdf pdf_icon

NP16N06YLL

Preliminary Data Sheet R07DS0362EJ0100NP16N04YUG Rev.1.00Jun 13, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss: Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed f

Другие MOSFET... NP160N04TDG , NP160N04TUG , NP160N04TUJ , NP160N04TUK , NP160N055TUJ , NP160N055TUK , NP161N04TUG , NP16N04YUG , IRLB4132 , NP180N04TUG , NP180N04TUJ , NP180N04TUK , NP180N055TUJ , NP180N055TUK , NP20N10YDF , NP20P04SLG , NP20P06SLG .

History: WPM5001 | NCEP045N85 | WMP05N80M3 | WST4041 | NP32N055IHE | WPM3021 | SI4914DY

 

 
Back to Top

 


 
.