NP16N06YLL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP16N06YLL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP16N06YLL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP16N06YLL даташит

 ..1. Size:194K  renesas
 np16n06yll.pdf pdf_icon

NP16N06YLL

Data Sheet NP16N06YLL R07DS1124EJ0100 60 V 16 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Oct 30, 2013 Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 35 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V,

 8.1. Size:219K  renesas
 np16n04yug.pdf pdf_icon

NP16N06YLL

Preliminary Data Sheet R07DS0362EJ0100 NP16N04YUG Rev.1.00 Jun 13, 2011 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed f

Другие IGBT... NP160N04TDG, NP160N04TUG, NP160N04TUJ, NP160N04TUK, NP160N055TUJ, NP160N055TUK, NP161N04TUG, NP16N04YUG, CS150N03A8, NP180N04TUG, NP180N04TUJ, NP180N04TUK, NP180N055TUJ, NP180N055TUK, NP20N10YDF, NP20P04SLG, NP20P06SLG