NP20N10YDF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NP20N10YDF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON

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NP20N10YDF Datasheet (PDF)

..1. Size:116K renesas
np20n10ydf.pdf

Preliminary Data Sheet NP20N10YDF R07DS0705EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012Description The NP20N10YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 55 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 68 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 74 m MAX. (VGS =

9.1. Size:281K st
vnp20n07.pdf

VNP20N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP20N07 70 V 0.05 20 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFF230

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: