NP20N10YDF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP20N10YDF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP20N10YDF datasheet

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NP20N10YDF

Preliminary Data Sheet NP20N10YDF R07DS0705EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012 Description The NP20N10YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 55 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 68 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 74 m MAX. (VGS =

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NP20N10YDF

VNP20N07 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP20N07 70 V 0.05 20 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

Otros transistores... NP161N04TUG, NP16N04YUG, NP16N06YLL, NP180N04TUG, NP180N04TUJ, NP180N04TUK, NP180N055TUJ, NP180N055TUK, AO4407, NP20P04SLG, NP20P06SLG, NP20P06YLG, NP22N055HHE, NP22N055HLE, NP22N055IHE, NP22N055ILE, NP22N055SHE