Справочник MOSFET. NP20N10YDF

 

NP20N10YDF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP20N10YDF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: HSON
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NP20N10YDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  renesas
 np20n10ydf.pdf pdf_icon

NP20N10YDF

Preliminary Data Sheet NP20N10YDF R07DS0705EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012Description The NP20N10YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 55 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 68 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 74 m MAX. (VGS =

 9.1. Size:281K  st
 vnp20n07.pdf pdf_icon

NP20N10YDF

VNP20N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP20N07 70 V 0.05 20 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.