NP20N10YDF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP20N10YDF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP20N10YDF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP20N10YDF даташит

 ..1. Size:116K  renesas
 np20n10ydf.pdf pdf_icon

NP20N10YDF

Preliminary Data Sheet NP20N10YDF R07DS0705EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012 Description The NP20N10YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 55 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 68 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 74 m MAX. (VGS =

 9.1. Size:281K  st
 vnp20n07.pdf pdf_icon

NP20N10YDF

VNP20N07 "OMNIFET" FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET TYPE V R I clamp DS(on) lim VNP20N07 70 V 0.05 20 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT 3 2 PIN 1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE TO-220 POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

Другие IGBT... NP161N04TUG, NP16N04YUG, NP16N06YLL, NP180N04TUG, NP180N04TUJ, NP180N04TUK, NP180N055TUJ, NP180N055TUK, AO4407, NP20P04SLG, NP20P06SLG, NP20P06YLG, NP22N055HHE, NP22N055HLE, NP22N055IHE, NP22N055ILE, NP22N055SHE