Справочник MOSFET. NP20N10YDF

 

NP20N10YDF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP20N10YDF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: HSON
 

 Аналог (замена) для NP20N10YDF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP20N10YDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  renesas
 np20n10ydf.pdf pdf_icon

NP20N10YDF

Preliminary Data Sheet NP20N10YDF R07DS0705EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Apr 17, 2012Description The NP20N10YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 55 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on) = 68 m MAX. (VGS = 5 V, ID = 10 A) RDS(on) = 74 m MAX. (VGS =

 9.1. Size:281K  st
 vnp20n07.pdf pdf_icon

NP20N10YDF

VNP20N07"OMNIFET":FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETTYPE V R Iclamp DS(on) limVNP20N07 70 V 0.05 20 A LINEAR CURRENT LIMITATION THERMAL SHUT DOWN SHORT CIRCUIT PROTECTION INTEGRATED CLAMP LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT32PIN1 ESD PROTECTION DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THETO-220POWER MOSFET (ANALOG DRIVING) COMPATIBLE

Другие MOSFET... NP161N04TUG , NP16N04YUG , NP16N06YLL , NP180N04TUG , NP180N04TUJ , NP180N04TUK , NP180N055TUJ , NP180N055TUK , P60NF06 , NP20P04SLG , NP20P06SLG , NP20P06YLG , NP22N055HHE , NP22N055HLE , NP22N055IHE , NP22N055ILE , NP22N055SHE .

History: CET0215 | 2SK277 | MCG30N03A

 

 
Back to Top

 


 
.