NP23N06YDG Todos los transistores

 

NP23N06YDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP23N06YDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP23N06YDG Datasheet (PDF)

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NP23N06YDG

Preliminary Data Sheet NP23N06YDG R07DS0014EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 27 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

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History: APT12067B2FLLG | PHN203 | 3N156 | STD64N4F6AG | APT6011LVFR | SE30P12D | 2SK1807

 

 
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