NP23N06YDG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP23N06YDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP23N06YDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP23N06YDG даташит

 ..1. Size:217K  renesas
 np23n06ydg.pdf pdf_icon

NP23N06YDG

Preliminary Data Sheet NP23N06YDG R07DS0014EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010 Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 27 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) Low Ciss Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Другие IGBT... NP20P06SLG, NP20P06YLG, NP22N055HHE, NP22N055HLE, NP22N055IHE, NP22N055ILE, NP22N055SHE, NP22N055SLE, AO3407, NP28N10SDE, NP30N04QUK, NP32N055HDE, NP32N055HHE, NP32N055HLE, NP32N055IDE, NP32N055IHE, NP32N055ILE