Справочник MOSFET. NP23N06YDG

 

NP23N06YDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP23N06YDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: HSON
 

 Аналог (замена) для NP23N06YDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP23N06YDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  renesas
 np23n06ydg.pdf pdf_icon

NP23N06YDG

Preliminary Data Sheet NP23N06YDG R07DS0014EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 27 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Другие MOSFET... NP20P06SLG , NP20P06YLG , NP22N055HHE , NP22N055HLE , NP22N055IHE , NP22N055ILE , NP22N055SHE , NP22N055SLE , 7N60 , NP28N10SDE , NP30N04QUK , NP32N055HDE , NP32N055HHE , NP32N055HLE , NP32N055IDE , NP32N055IHE , NP32N055ILE .

History: STB40NS15

 

 
Back to Top

 


 
.