NP23N06YDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NP23N06YDG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: HSON
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NP23N06YDG Datasheet (PDF)
np23n06ydg.pdf

Preliminary Data Sheet NP23N06YDG R07DS0014EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP23N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 27 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 11.5 A) Low Ciss: Ciss = 1200 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: AP9926GEO-HF | PSMN2R6-30YLC | CEP02N65A | GSM8459 | IRF3707SPBF | FQD24N08TM | IPP60R105CFD7
History: AP9926GEO-HF | PSMN2R6-30YLC | CEP02N65A | GSM8459 | IRF3707SPBF | FQD24N08TM | IPP60R105CFD7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet