NP30N04QUK Todos los transistores

 

NP30N04QUK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP30N04QUK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

 Búsqueda de reemplazo de NP30N04QUK MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NP30N04QUK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  renesas
 np30n04quk.pdf pdf_icon

NP30N04QUK

Data Sheet NP30N04QUK R07DS1227EJ010040 V 30 A Dual N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Nov 18, 2014Description NP30N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) Low Ciss: Ciss = 1600 pF TYP.

Otros transistores... NP22N055HHE , NP22N055HLE , NP22N055IHE , NP22N055ILE , NP22N055SHE , NP22N055SLE , NP23N06YDG , NP28N10SDE , 2N60 , NP32N055HDE , NP32N055HHE , NP32N055HLE , NP32N055IDE , NP32N055IHE , NP32N055ILE , NP32N055SDE , NP32N055SHE .

History: TK19J55D | SWMN6N65K | MSD4N40 | IRHMS67260 | FHA9N90D | SM3404SRL | IRFSL4310PBF

 

 
Back to Top

 


 
.