NP30N04QUK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP30N04QUK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: HSON

 Búsqueda de reemplazo de NP30N04QUK MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NP30N04QUK datasheet

 ..1. Size:223K  renesas
 np30n04quk.pdf pdf_icon

NP30N04QUK

Data Sheet NP30N04QUK R07DS1227EJ0100 40 V 30 A Dual N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Nov 18, 2014 Description NP30N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) Low Ciss Ciss = 1600 pF TYP.

Otros transistores... NP22N055HHE, NP22N055HLE, NP22N055IHE, NP22N055ILE, NP22N055SHE, NP22N055SLE, NP23N06YDG, NP28N10SDE, 20N50, NP32N055HDE, NP32N055HHE, NP32N055HLE, NP32N055IDE, NP32N055IHE, NP32N055ILE, NP32N055SDE, NP32N055SHE