NP30N04QUK Todos los transistores

 

NP30N04QUK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP30N04QUK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP30N04QUK Datasheet (PDF)

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NP30N04QUK

Data Sheet NP30N04QUK R07DS1227EJ010040 V 30 A Dual N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Nov 18, 2014Description NP30N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) Low Ciss: Ciss = 1600 pF TYP.

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