NP30N04QUK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP30N04QUK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP30N04QUK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP30N04QUK даташит

 ..1. Size:223K  renesas
 np30n04quk.pdf pdf_icon

NP30N04QUK

Data Sheet NP30N04QUK R07DS1227EJ0100 40 V 30 A Dual N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Nov 18, 2014 Description NP30N04QUK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) Low Ciss Ciss = 1600 pF TYP.

Другие IGBT... NP22N055HHE, NP22N055HLE, NP22N055IHE, NP22N055ILE, NP22N055SHE, NP22N055SLE, NP23N06YDG, NP28N10SDE, 20N50, NP32N055HDE, NP32N055HHE, NP32N055HLE, NP32N055IDE, NP32N055IHE, NP32N055ILE, NP32N055SDE, NP32N055SHE