NP33N06YDG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP33N06YDG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP33N06YDG datasheet

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NP33N06YDG

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010 Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

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NP33N06YDG

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100 Rev.1.00 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011 Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Otros transistores... NP32N055HHE, NP32N055HLE, NP32N055IDE, NP32N055IHE, NP32N055ILE, NP32N055SDE, NP32N055SHE, NP32N055SLE, IRFB31N20D, NP33N075YDF, NP34N055HHE, NP34N055HLE, NP34N055IHE, NP34N055ILE, NP34N055SHE, NP34N055SLE, NP35N04YLG