NP33N06YDG Todos los transistores

 

NP33N06YDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP33N06YDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
     - Selección de transistores por parámetros

 

NP33N06YDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  renesas
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NP33N06YDG

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

 8.1. Size:224K  renesas
 np33n075ydf.pdf pdf_icon

NP33N06YDG

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME80N75F | IXFN64N60P | NTS2101PT1G | SMP40N10 | APT56M60L | IRF624A | WNM3017

 

 
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