Справочник MOSFET. NP33N06YDG

 

NP33N06YDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP33N06YDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: HSON
 

 Аналог (замена) для NP33N06YDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP33N06YDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  renesas
 np33n06ydg.pdf pdf_icon

NP33N06YDG

Preliminary Data Sheet NP33N06YDG R07DS0015EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jul 01, 2010Description The NP33N06YDG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 14 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 16.5 A) Low Ciss: Ciss = 2600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

 8.1. Size:224K  renesas
 np33n075ydf.pdf pdf_icon

NP33N06YDG

Preliminary Data Sheet NP33N075YDF R07DS0363EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jun 30, 2011Description The NP33N075YDF is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 28 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17 A) Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Logic le

Другие MOSFET... NP32N055HHE , NP32N055HLE , NP32N055IDE , NP32N055IHE , NP32N055ILE , NP32N055SDE , NP32N055SHE , NP32N055SLE , IRF730 , NP33N075YDF , NP34N055HHE , NP34N055HLE , NP34N055IHE , NP34N055ILE , NP34N055SHE , NP34N055SLE , NP35N04YLG .

History: WNMD2158 | IRFB7530PBF | D7509 | WMK15N65C2 | IRFR6215 | SWD085R68E7T | SSF65R120S2

 

 
Back to Top

 


 
.