NP50N04YUK Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NP50N04YUK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: HSON

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NP50N04YUK datasheet

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NP50N04YUK

Preliminary Data Sheet NP50N04YUK R07DS1003EJ0100 40 V 50 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Feb 08, 2013 Description The NP50N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A) Non logic level drive typ

Otros transistores... NP48N055EHE, NP48N055ELE, NP48N055KHE, NP48N055KLE, NP48N055MHE, NP48N055MLE, NP48N055NHE, NP48N055NLE, 2SK3878, NP50P03YDG, NP50P04KDG, NP50P04SDG, NP50P04SLG, NP50P06KDG, NP50P06SDG, NP52N055SUG, NP52N06SLG