NP50N04YUK Todos los transistores

 

NP50N04YUK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NP50N04YUK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 97 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSON
 

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NP50N04YUK Datasheet (PDF)

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NP50N04YUK

Preliminary Data Sheet NP50N04YUK R07DS1003EJ010040 V 50 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Feb 08, 2013Description The NP50N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A) Non logic level drive typ

Otros transistores... NP48N055EHE , NP48N055ELE , NP48N055KHE , NP48N055KLE , NP48N055MHE , NP48N055MLE , NP48N055NHE , NP48N055NLE , IRFP260 , NP50P03YDG , NP50P04KDG , NP50P04SDG , NP50P04SLG , NP50P06KDG , NP50P06SDG , NP52N055SUG , NP52N06SLG .

History: IPL60R210P6 | FDB3682

 

 
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