NP50N04YUK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NP50N04YUK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: HSON

Аналог (замена) для NP50N04YUK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP50N04YUK даташит

 ..1. Size:113K  renesas
 np50n04yuk.pdf pdf_icon

NP50N04YUK

Preliminary Data Sheet NP50N04YUK R07DS1003EJ0100 40 V 50 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00 Application Automotive Feb 08, 2013 Description The NP50N04YUK is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 25 A) Non logic level drive typ

Другие IGBT... NP48N055EHE, NP48N055ELE, NP48N055KHE, NP48N055KLE, NP48N055MHE, NP48N055MLE, NP48N055NHE, NP48N055NLE, 2SK3878, NP50P03YDG, NP50P04KDG, NP50P04SDG, NP50P04SLG, NP50P06KDG, NP50P06SDG, NP52N055SUG, NP52N06SLG