IXFA56N30X3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFA56N30X3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFA56N30X3

IXFA56N30X3 Datasheet (PDF)

..1. Size:313K ixys
ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA56N30X3Power MOSFET ID25 = 56AIXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXFA)Avalanche RatedGSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300

9.1. Size:164K ixys
ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFY5N50P3Power MOSFETs ID25 = 5AIXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, R

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: