IXFA56N30X3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA56N30X3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IXFA56N30X3 datasheet

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IXFA56N30X3

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 300V IXFA56N30X3 Power MOSFET ID25 = 56A IXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXFA) Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

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IXFA56N30X3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

Otros transistores... NP60N03SUG, NP60N04HLF, NP60N04ILF, NP60N04KUG, NP60N04MUG, NP60N04MUK, NP60N04NUK, IRL60SL216, NCEP15T14, IXFP56N30X3, IXFA12N65X2, IXFH12N65X2, IXFA8N85XHV, IXFP8N85X, IXFA36N20X3, IXFP36N20X3, IXTP12N70X2