IXFA56N30X3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFA56N30X3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IXFA56N30X3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA56N30X3 даташит

 ..1. Size:313K  ixys
 ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf pdf_icon

IXFA56N30X3

Preliminary Technical Information X3-Class HiPerFETTM VDSS = 300V IXFA56N30X3 Power MOSFET ID25 = 56A IXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXFA) Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220 (IXFP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 300

 9.1. Size:164K  ixys
 ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf pdf_icon

IXFA56N30X3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

Другие IGBT... NP60N03SUG, NP60N04HLF, NP60N04ILF, NP60N04KUG, NP60N04MUG, NP60N04MUK, NP60N04NUK, IRL60SL216, NCEP15T14, IXFP56N30X3, IXFA12N65X2, IXFH12N65X2, IXFA8N85XHV, IXFP8N85X, IXFA36N20X3, IXFP36N20X3, IXTP12N70X2