Справочник MOSFET. IXFA56N30X3

 

IXFA56N30X3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFA56N30X3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IXFA56N30X3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFA56N30X3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  ixys
 ixfa56n30x3 ixfp56n30x3 ixfh56n30x3.pdf pdf_icon

IXFA56N30X3

Preliminary Technical InformationX3-Class HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA56N30X3Power MOSFET ID25 = 56AIXFP56N30X3 RDS(on) 27m IXFH56N30X3N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXFA)Avalanche RatedGSD (Tab)TO-220 (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300

 9.1. Size:164K  ixys
 ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf pdf_icon

IXFA56N30X3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500VIXFY5N50P3Power MOSFETs ID25 = 5AIXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, R

Другие MOSFET... NP60N03SUG , NP60N04HLF , NP60N04ILF , NP60N04KUG , NP60N04MUG , NP60N04MUK , NP60N04NUK , IRL60SL216 , IRFP450 , IXFP56N30X3 , IXFA12N65X2 , IXFH12N65X2 , IXFA8N85XHV , IXFP8N85X , IXFA36N20X3 , IXFP36N20X3 , IXTP12N70X2 .

 

 
Back to Top

 


 
.