VN1206N1 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

VN1206N1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VN1206N1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-3

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VN1206N1 datasheet

0.1. Size:145K supertex
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7.1. Size:259K inchange semiconductor
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