Справочник MOSFET. VN1206N1

 

VN1206N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VN1206N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
 

 Аналог (замена) для VN1206N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN1206N1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:145K  supertex
 vn1206n1-n2-n5 vn1204n1-n2-n5 vn1210n1-n2-n5.pdf pdf_icon

VN1206N1

 7.1. Size:259K  inchange semiconductor
 vn1206n5.pdf pdf_icon

VN1206N1

isc N-Channel MOSFET Transistor VN1206N5FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 8.1. Size:544K  supertex
 vn1206.pdf pdf_icon

VN1206N1

Supertex inc. VN1206N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFA8N85XHV , IXFP8N85X , IXFA36N20X3 , IXFP36N20X3 , IXTP12N70X2 , VN1204N5 , VN1210N5 , VN1204N1 , 13N50 , VN1210N1 , VN1204N2 , VN1206N2 , NP60N04PDK , NP60N04VDK , NP60N04VUK , NP60N055KUG , NP60N055MUK .

History: FDZ1416NZ | SFFC40-28 | IRLML0030TRPBF | FDMS039N08B | AOD4184A | SQ2319ADS | AP15P15GM

 

 
Back to Top

 


 
.