VN1206N2 Todos los transistores

 

VN1206N2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VN1206N2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39
 

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VN1206N2 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:145K  supertex
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VN1206N2

 7.2. Size:259K  inchange semiconductor
 vn1206n5.pdf pdf_icon

VN1206N2

isc N-Channel MOSFET Transistor VN1206N5FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 8.1. Size:544K  supertex
 vn1206.pdf pdf_icon

VN1206N2

Supertex inc. VN1206N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low power drive requirementsilicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a device with the power h

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History: RU30P3B | 8205S | NCE40H25LL | KCY3310A | STC2201 | IPF09N03LA | IRLU9343

 

 
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