VN1206N2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VN1206N2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-39

Аналог (замена) для VN1206N2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VN1206N2 даташит

 7.1. Size:145K  supertex
 vn1206n1-n2-n5 vn1204n1-n2-n5 vn1210n1-n2-n5.pdf pdf_icon

VN1206N2

 7.2. Size:259K  inchange semiconductor
 vn1206n5.pdf pdf_icon

VN1206N2

isc N-Channel MOSFET Transistor VN1206N5 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 8.1. Size:544K  supertex
 vn1206.pdf pdf_icon

VN1206N2

Supertex inc. VN1206 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, Low power drive requirement silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a device with the power h

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFP36N20X3, IXTP12N70X2, VN1204N5, VN1210N5, VN1204N1, VN1206N1, VN1210N1, VN1204N2, AO3407, NP60N04PDK, NP60N04VDK, NP60N04VUK, NP60N055KUG, NP60N055MUK, NP60N055NUK, NP60N055VUK, NP70N04MUG