SWI069R10VS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWI069R10VS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1590 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de SWI069R10VS MOSFET
SWI069R10VS Datasheet (PDF)
swi069r10vs swd069r10vs.pdf

SW069R10VSN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5VID : 70ALow RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 11223 3 Application: Li Battery Protect Board,
swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V
swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m@VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A
swi069r06vt.pdf

SW069R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251BVDSS : 60V High ruggednessID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V(Typ 6.0m)@VGS=10VRDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested 232 Application:Electronic Ballast, Motor ControlInverter 1.Gate 2.Drain
Otros transistores... NP90N055PDH , NP90N055PUH , NP90N055VDG , NP90N055VUG , NP90N055VUK , NP90N06VLG , NSVJ3557SA3 , NTHL082N65S3F , IRFP450 , SWD069R10VS , SWP069R10VS , IPP050N06NG , IPI05CNE8NG , IPP054NE8NG , IPI06CN10NG , IPI08CNE8NG , IPP08CNE8NG .
History: JMSH1102TC | JMSH1102QC
History: JMSH1102TC | JMSH1102QC



Liste
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