SWI069R10VS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWI069R10VS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWI069R10VS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI069R10VS даташит

 ..1. Size:753K  samwin
 swi069r10vs swd069r10vs.pdf pdf_icon

SWI069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 3 3 Application Li Battery Protect Board,

 ..2. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWI069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V

 ..3. Size:708K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf pdf_icon

SWI069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS 100V High ruggedness ID 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V RDS(ON) 7.1m @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m @VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A

 7.1. Size:914K  samwin
 swi069r06vt.pdf pdf_icon

SWI069R10VS

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS 60V High ruggedness ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m )@VGS=4.5V (Typ 6.0m )@VGS=10V RDS(ON) 7.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m @VGS=10V 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Electronic Ballast, Motor Control Inverter 1.Gate 2.Drain

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NP90N055PDH, NP90N055PUH, NP90N055VDG, NP90N055VUG, NP90N055VUK, NP90N06VLG, NSVJ3557SA3, NTHL082N65S3F, NCEP15T14, SWD069R10VS, SWP069R10VS, IPP050N06NG, IPI05CNE8NG, IPP054NE8NG, IPI06CN10NG, IPI08CNE8NG, IPP08CNE8NG