Справочник MOSFET. SWI069R10VS

 

SWI069R10VS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWI069R10VS
   Маркировка: SW069R10VS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SWI069R10VS

 

 

SWI069R10VS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:753K  samwin
 swi069r10vs swd069r10vs.pdf

SWI069R10VS SWI069R10VS

SW069R10VSN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5VID : 70ALow RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V 100% Avalanche Tested 11223 3 Application: Li Battery Protect Board,

 ..2. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf

SWI069R10VS SWI069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V

 ..3. Size:708K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf

SWI069R10VS SWI069R10VS

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m@VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A

 7.1. Size:914K  samwin
 swi069r06vt.pdf

SWI069R10VS SWI069R10VS

SW069R06VTN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251BVDSS : 60V High ruggednessID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V(Typ 6.0m)@VGS=10VRDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V1 100% Avalanche Tested 232 Application:Electronic Ballast, Motor ControlInverter 1.Gate 2.Drain

 7.2. Size:916K  samwin
 swi069r06vt swha069r06vt.pdf

SWI069R10VS SWI069R10VS

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V (Typ 6.0m)@VGS=10V RDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWI1N60 | SWT38N60K

 

 
Back to Top