IPI06CN10NG Todos los transistores

 

IPI06CN10NG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPI06CN10NG

Código: 06CN10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 214 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 104 nC

Tiempo de elevación (tr): 27 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1050 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO262

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IPI06CN10NG Datasheet (PDF)

1.1. ipb06cn10n-g ipi06cn10n-g ipp06cn10n-g.pdf Size:519K _update-mosfet

IPI06CN10NG
IPI06CN10NG

IPB06CN10N G IPI06CN10N G IPP06CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 6.2 mΩ DS(on),max (TO263) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target

1.2. ipb06cn10n-g ipi06cn10n-g ipp06cn10n-g.pdf Size:519K _infineon

IPI06CN10NG
IPI06CN10NG

IPB06CN10N G IPI06CN10N G IPP06CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 6.2 mΩ DS(on),max (TO263) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target

 

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