Справочник MOSFET. IPI06CN10NG

 

IPI06CN10NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPI06CN10NG

Маркировка: 06CN10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 104 nC

Время нарастания (tr): 27 ns

Выходная емкость (Cd): 1050 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI06CN10NG

 

 

IPI06CN10NG Datasheet (PDF)

1.1. ipb06cn10n-g ipi06cn10n-g ipp06cn10n-g.pdf Size:519K _update-mosfet

IPI06CN10NG
IPI06CN10NG

IPB06CN10N G IPI06CN10N G IPP06CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 6.2 mΩ DS(on),max (TO263) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target

1.2. ipb06cn10n-g ipi06cn10n-g ipp06cn10n-g.pdf Size:519K _infineon

IPI06CN10NG
IPI06CN10NG

IPB06CN10N G IPI06CN10N G IPP06CN10N G OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS • N-channel, normal level R 6.2 mΩ DS(on),max (TO263) • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target

 

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top