TP4812NR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP4812NR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Encapsulados: SOT23
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TP4812NR datasheet
tp4812nr.pdf
TP4812NR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES HIGH DENSITY CELL DESIGN FOR ULTRA LOW ON-RESISTANCE IMPROVED SHOOT-THROUGH FOM BOTH NORMAL AND PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE NORMAL 80 95% SN, 5 20% PB PB FREE 99% SN ABOVE MECHANICAL DATA WE DECLARE THAT THE MATERIAL OF PRODUCT COMPLIANCE WITH ROHS REUIREMENTS. Pb Free TP4812NR
Otros transistores... IPI12CNE8NG , IPP12CNE8NG , IPI45N04S4L-08 , IPP45N04S4L-08 , TP2301PR , TP2302NR , TP2305PR , TP3443PR , IRF520 , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , CEP7030L .
History: TP3443PR
History: TP3443PR
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Liste
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