TP4812NR Todos los transistores

 

TP4812NR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TP4812NR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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TP4812NR Datasheet (PDF)

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TP4812NR

TP4812NR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES HIGH DENSITY CELL DESIGN FOR ULTRA LOW ON-RESISTANCE IMPROVED SHOOT-THROUGH FOM BOTH NORMAL AND PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE :NORMAL : 80~95% SN, 5~20% PB PB FREE: 99% SN ABOVE MECHANICAL DATA WE DECLARE THAT THE MATERIAL OF PRODUCT COMPLIANCE WITH ROHS REUIREMENTS. Pb Free: TP4812NR

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History: AOK18N65L | DMP1022UFDF | SVT044R5ND | AOI7N65 | 2SK3804-01S | UML2502L-AE3-R | SPB16N50C3

 

 
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