TP4812NR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TP4812NR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для TP4812NR
TP4812NR Datasheet (PDF)
tp4812nr.pdf

TP4812NR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES HIGH DENSITY CELL DESIGN FOR ULTRA LOW ON-RESISTANCE IMPROVED SHOOT-THROUGH FOM BOTH NORMAL AND PB FREE PRODUCT ARE AVAILABLE :NORMAL : 80~95% SN, 5~20% PB PB FREE: 99% SN ABOVE MECHANICAL DATA WE DECLARE THAT THE MATERIAL OF PRODUCT COMPLIANCE WITH ROHS REUIREMENTS. Pb Free: TP4812NR
Другие MOSFET... IPI12CNE8NG , IPP12CNE8NG , IPI45N04S4L-08 , IPP45N04S4L-08 , TP2301PR , TP2302NR , TP2305PR , TP3443PR , STF13NM60N , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , AON6790 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , CEP7030L .
History: AP3C030YT | GC11N70T | SUP90N08-8M2P | RSU002N06
History: AP3C030YT | GC11N70T | SUP90N08-8M2P | RSU002N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement