AON6790 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON6790
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 68 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 27 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 350 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON6790

AON6790 Datasheet (PDF)

..1. Size:262K 1
aon6790.pdf

AON679030V N-Channel MOSFETTMSRFET General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V)with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

8.1. Size:331K aosemi
aon6792.pdf

AON679230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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aon6794.pdf

AON679430V N-Channel SRFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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aon6796.pdf

AON679630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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