Справочник MOSFET. AON6790

 

AON6790 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AON6790
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для AON6790

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6790 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  1
 aon6790.pdf pdf_icon

AON6790

AON679030V N-Channel MOSFETTMSRFET General Description Product SummaryVDS30VSRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V)with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 8.1. Size:331K  aosemi
 aon6792.pdf pdf_icon

AON6790

AON679230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:243K  aosemi
 aon6794.pdf pdf_icon

AON6790

AON679430V N-Channel SRFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:345K  aosemi
 aon6796.pdf pdf_icon

AON6790

AON679630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TP2301PR , TP2302NR , TP2305PR , TP3443PR , TP4812NR , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , IRF830 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , CEP7030L , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , DMK10N60 .

History: SHD231006 | AO4705

 

 
Back to Top

 


 
.