AON6790 - описание и поиск аналогов

 

AON6790. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AON6790

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AON6790

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AON6790 даташит

 ..1. Size:262K  1
 aon6790.pdf pdf_icon

AON6790

AON6790 30V N-Channel MOSFET TM SRFET General Description Product Summary VDS 30V SRFETTM AON6790 uses advanced trench technology 68A ID (at VGS=10V) with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is

 8.1. Size:331K  aosemi
 aon6792.pdf pdf_icon

AON6790

AON6792 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:243K  aosemi
 aon6794.pdf pdf_icon

AON6790

AON6794 30V N-Channel SRFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:345K  aosemi
 aon6796.pdf pdf_icon

AON6790

AON6796 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOS Technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TP2301PR , TP2302NR , TP2305PR , TP3443PR , TP4812NR , TP9435PR , 4N60CB , AON6786 , 2N60 , AP9918H , AP9918J , CEB7030L , CEP7030L , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , DMK10N60 .

History: AP9918H | DMK10N60 | KHB011N40F2 | AP9918J | AON6786 | 4N60CB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.