LD1014D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LD1014D
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 467 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LD1014D

LD1014D Datasheet (PDF)

..1. Size:633K 1
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PWRLITE LD1014D High Performance N-Channel POWERJFETTM with PN Diode Features Description Superior gate charge x Rdson product (FOM) The Power JFET transistor from Lovoltech is a device that Trench Power JFET with low threshold voltage Vth. presents a Low Rdson allowing for improved efficiencies in DC- Device fully ON with Vgs = 0.7V DC switching applications. The device is

9.1. Size:318K sisemi
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Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101DNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101DNPN D /D SE

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Liste

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