LD1014D Todos los transistores

 

LD1014D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LD1014D

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 467 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-252

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LD1014D datasheet

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LD1014D

PWRLITE LD1014D High Performance N-Channel POWERJFETTM with PN Diode Features Description Superior gate charge x Rdson product (FOM) The Power JFET transistor from Lovoltech is a device that Trench Power JFET with low threshold voltage Vth. presents a Low Rdson allowing for improved efficiencies in DC- Device fully ON with Vgs = 0.7V DC switching applications. The device is

 9.1. Size:318K  sisemi
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LD1014D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101D NPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101D NPN D /D SE

Otros transistores... DMK10N60 , DMG10N60 , H06N60U , JCS4N60VB , JCS4N60RB , JCS4N60BB , JCS4N60CB , JCS4N60FB , K2611 , ME80N75F , ME80N75FG , MMF60R280QTH , NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS .

History: BMS3004 | FTS2057 | 2SK1775 | IRFB3006 | ME2302 | KHB9D0N90P1 | BUK444-200A

 

 

 

 

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