Справочник MOSFET. LD1014D

 

LD1014D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LD1014D
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 467 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для LD1014D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LD1014D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:633K  1
 ld1014d.pdf pdf_icon

LD1014D

PWRLITE LD1014D High Performance N-Channel POWERJFETTM with PN Diode Features Description Superior gate charge x Rdson product (FOM) The Power JFET transistor from Lovoltech is a device that Trench Power JFET with low threshold voltage Vth. presents a Low Rdson allowing for improved efficiencies in DC- Device fully ON with Vgs = 0.7V DC switching applications. The device is

 9.1. Size:318K  sisemi
 bld101d.pdf pdf_icon

LD1014D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101DNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101DNPN D /D SE

Другие MOSFET... DMK10N60 , DMG10N60 , H06N60U , JCS4N60VB , JCS4N60RB , JCS4N60BB , JCS4N60CB , JCS4N60FB , IRF9640 , ME80N75F , ME80N75FG , MMF60R280QTH , NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS .

History: P80NF55-08 | BSS806N | WMK12N105C2 | TK3R3A06PL | TN0601L

 

 
Back to Top

 


 
.