LD1014D - описание и поиск аналогов

 

LD1014D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LD1014D

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 467 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для LD1014D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LD1014D даташит

 ..1. Size:633K  1
 ld1014d.pdf pdf_icon

LD1014D

PWRLITE LD1014D High Performance N-Channel POWERJFETTM with PN Diode Features Description Superior gate charge x Rdson product (FOM) The Power JFET transistor from Lovoltech is a device that Trench Power JFET with low threshold voltage Vth. presents a Low Rdson allowing for improved efficiencies in DC- Device fully ON with Vgs = 0.7V DC switching applications. The device is

 9.1. Size:318K  sisemi
 bld101d.pdf pdf_icon

LD1014D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101D NPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101D NPN D /D SE

Другие MOSFET... DMK10N60 , DMG10N60 , H06N60U , JCS4N60VB , JCS4N60RB , JCS4N60BB , JCS4N60CB , JCS4N60FB , K2611 , ME80N75F , ME80N75FG , MMF60R280QTH , NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS .

History: CS8N50FA9R | MMF60R280QTH | IRF7904 | SM4023NSU | FTP23N10A | PCJ3139K | SUP45N05-20L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.