NDP08N60ZG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDP08N60ZG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 39 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDP08N60ZG

NDP08N60ZG Datasheet (PDF)

..1. Size:137K 1
ndf08n60zg ndp08n60zg.pdf

DataSheet.inNDF08N60Z, NDP08N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 0.95 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (MAX) @ 3.5 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)600 V0.95 WRating Symbol NDF08N60Z NDP08N60Z UnitDrain-to-Source Voltage

8.1. Size:140K onsemi
ndf08n50z ndp08n50z.pdf

NDF08N50Z, NDP08N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.69 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (TYP) @ 3.6 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)500 V0.69 WRating Symbol NDF08N50Z NDP08N50Z UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 500 VN

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Liste

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