Справочник MOSFET. NDP08N60ZG

 

NDP08N60ZG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDP08N60ZG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP08N60ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  1
 ndf08n60zg ndp08n60zg.pdf pdf_icon

NDP08N60ZG

DataSheet.inNDF08N60Z, NDP08N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 0.95 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (MAX) @ 3.5 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)600 V0.95 WRating Symbol NDF08N60Z NDP08N60Z UnitDrain-to-Source Voltage

 8.1. Size:140K  onsemi
 ndf08n50z ndp08n50z.pdf pdf_icon

NDP08N60ZG

NDF08N50Z, NDP08N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.69 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (TYP) @ 3.6 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)500 V0.69 WRating Symbol NDF08N50Z NDP08N50Z UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 500 VN

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WNM07N60F | WPM3004 | WNM4002

 

 
Back to Top

 


 
.