NDP08N60ZG - аналоги и даташиты транзистора

 

NDP08N60ZG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NDP08N60ZG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для NDP08N60ZG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP08N60ZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  1
 ndf08n60zg ndp08n60zg.pdf pdf_icon

NDP08N60ZG

DataSheet.inNDF08N60Z, NDP08N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 0.95 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (MAX) @ 3.5 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)600 V0.95 WRating Symbol NDF08N60Z NDP08N60Z UnitDrain-to-Source Voltage

 8.1. Size:140K  onsemi
 ndf08n50z ndp08n50z.pdf pdf_icon

NDP08N60ZG

NDF08N50Z, NDP08N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.69 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (TYP) @ 3.6 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)500 V0.69 WRating Symbol NDF08N50Z NDP08N50Z UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 500 VN

Другие MOSFET... JCS4N60CB , JCS4N60FB , LD1014D , ME80N75F , ME80N75FG , MMF60R280QTH , NCE3401AY , NDF08N60ZG , AO4468 , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , SWD5N65K , VN10KLS .

History: WMN15N60C4 | IRFU3607 | IRFU3704Z | CS10N65FA9HD | SDF044JAB-D | STD15NF10

 

 
Back to Top

 


 
.