NDP08N60ZG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDP08N60ZG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 129 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для NDP08N60ZG
NDP08N60ZG Datasheet (PDF)
ndf08n60zg ndp08n60zg.pdf
DataSheet.inNDF08N60Z, NDP08N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 0.95 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (MAX) @ 3.5 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)600 V0.95 WRating Symbol NDF08N60Z NDP08N60Z UnitDrain-to-Source Voltage
ndf08n50z ndp08n50z.pdf
NDF08N50Z, NDP08N50ZN-Channel Power MOSFET500 V, 0.69 WFeatures Low ON Resistance Low Gate Chargehttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantVDSS RDS(ON) (TYP) @ 3.6 AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)500 V0.69 WRating Symbol NDF08N50Z NDP08N50Z UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 500 VN
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
