PTF10149 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTF10149
   Código: 10149
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 197 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: 20252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTF10149

PTF10149 Datasheet (PDF)

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ptf10149.pdf

PTF 1014970 Watts, 921960 MHzGOLDMOS Field Effect TransistorDescription INTERNALLY MATCHEDThe PTF 10149 is an internally matched 70watt GOLDMOS FETintended for cellular and GSM amplifier applications from 921 to Performance at 960 MHz, 26 Volts960 MHz. It operates with 50% efficiency and 16 dB typical gain.- Output Power = 70 WattsNitride surface passivation and

9.1. Size:3628K cn puolop
ptf10hn08 pty10hn08.pdf

PTF10HN08/PTY10HN0880V/100A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 80V/100ARDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive LossS High avalanche CurrentD% 100 Avalanche TestedApplicationG SG D S Power SupplyTO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme eAbsolute Maximum Ratings

9.2. Size:6851K cn puolop
ptf10n65.pdf

PTF1 0N6565 0V/1 0A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

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Liste

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