PTF10149
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTF10149
Маркировка: 10149
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 197
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 0.75
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 200
°C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3
Ohm
Тип корпуса: 20252
Аналог (замена) для PTF10149
PTF10149
Datasheet (PDF)
..1. Size:215K 1
ptf10149.pdf PTF 1014970 Watts, 921960 MHzGOLDMOS Field Effect TransistorDescription INTERNALLY MATCHEDThe PTF 10149 is an internally matched 70watt GOLDMOS FETintended for cellular and GSM amplifier applications from 921 to Performance at 960 MHz, 26 Volts960 MHz. It operates with 50% efficiency and 16 dB typical gain.- Output Power = 70 WattsNitride surface passivation and
9.1. Size:3628K cn puolop
ptf10hn08 pty10hn08.pdf PTF10HN08/PTY10HN0880V/100A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 80V/100ARDS(ON)=6.5m (typ.)@ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive LossS High avalanche CurrentD% 100 Avalanche TestedApplicationG SG D S Power SupplyTO-220F TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme eAbsolute Maximum Ratings
9.2. Size:6851K cn puolop
ptf10n65.pdf PTF1 0N6565 0V/1 0A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above
Другие MOSFET... IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
, IRFP440A
, IRFP250
, IRFP442
, IRFP443
, IRFP448
, IRFP450
, IRFP450A
, IRFP450FI
, IRFP450LC
, IRFP451
.