STK0260D Todos los transistores

 

STK0260D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK0260D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STK0260D Datasheet (PDF)

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STK0260D

www.DataSheet4U.com STK0260DSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=8.4nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=4.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0260D STK0260 D-PAKOutline Dimensions unit : mm

Otros transistores... NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , IRF740 , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 .

History: IRFR310PBF | NTTS2P02R2 | NTNS3164NZ | TMAN10N80 | KIA2906A-220 | IPI80CN10N | NP32N055I

 

 
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