STK0260D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK0260D
   Código: STK0260
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 10.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 33 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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STK0260D Datasheet (PDF)

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stk0260d.pdf

www.DataSheet4U.com STK0260DSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=8.4nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=4.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0260D STK0260 D-PAKOutline Dimensions unit : mm

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Liste

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