STK0260D Todos los transistores

 

STK0260D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK0260D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STK0260D datasheet

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STK0260D

www.DataSheet4U.com STK0260D Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge Qg=8.4nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=4.0 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0260D STK0260 D-PAK Outline Dimensions unit mm

Otros transistores... NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , IRF740 , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 .

History: WMN16N65SR | WMO16N65SR | WML15N25T2 | SVF2N60M | WMM120N04TS | WML16N70SR | WMX12N120D1

 

 

 

 

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