STK0260D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK0260D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.7 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STK0260D MOSFET
STK0260D Datasheet (PDF)
stk0260d.pdf
www.DataSheet4U.com STK0260DSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=8.4nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=4.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0260D STK0260 D-PAKOutline Dimensions unit : mm
Otros transistores... NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , IRF740 , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 .
History: 2SK1081-01 | SW2N65 | STD2NK70Z | RU20C10H | SWX170R15ET | 2SK2823 | STD2HNK60Z
History: 2SK1081-01 | SW2N65 | STD2NK70Z | RU20C10H | SWX170R15ET | 2SK2823 | STD2HNK60Z
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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