Справочник MOSFET. STK0260D

 

STK0260D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK0260D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STK0260D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK0260D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  1
 stk0260d.pdf pdf_icon

STK0260D

www.DataSheet4U.com STK0260DSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=8.4nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=4.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0260D STK0260 D-PAKOutline Dimensions unit : mm

Другие MOSFET... NCE3401AY , NDF08N60ZG , NDP08N60ZG , PTF10149 , RJK0234DNS , SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , IRF740 , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , CS3N20ATH , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.