STK0260D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STK0260D
Маркировка: STK0260
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.4 nC
trⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.7 Ohm
Тип корпуса: DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STK0260D Datasheet (PDF)
stk0260d.pdf

www.DataSheet4U.com STK0260DSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=6.0pF(Typ.) Low gate charge : Qg=8.4nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=4.0(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0260D STK0260 D-PAKOutline Dimensions unit : mm
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554