NCE0117K Todos los transistores

 

NCE0117K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE0117K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 55 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Tiempo de elevación (tr): 9.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252-2L

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NCE0117K Datasheet (PDF)

0.1. nce0117k.pdf Size:441K _1

NCE0117K
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NCE0117Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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