NCE0117K Todos los transistores

 

NCE0117K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE0117K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 55 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Tiempo de elevación (tr): 9.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-252-2L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCE0117K

 

NCE0117K Datasheet (PDF)

1.1. nce0117k.pdf Size:441K _1

NCE0117K
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NCE0117K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ) Schematic diagram RDS(ON) < 85mΩ @ VGS=4.5V (Typ:65

Otros transistores... CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , IRFZ44A , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 .

 

 
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