Справочник MOSFET. NCE0117K

 

NCE0117K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NCE0117K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 9.3 ns

Выходная емкость (Cd): 240 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для NCE0117K

 

 

NCE0117K Datasheet (PDF)

0.1. nce0117k.pdf Size:441K _1

NCE0117K
NCE0117K

NCE0117Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top