Справочник MOSFET. NCE0117K

 

NCE0117K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NCE0117K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 9.3 ns

Выходная емкость (Cd): 240 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для NCE0117K

 

 

NCE0117K Datasheet (PDF)

1.1. nce0117k.pdf Size:441K _1

NCE0117K
NCE0117K

NCE0117K http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =100V,ID =17A RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V (Typ:56mΩ) Schematic diagram RDS(ON) < 85mΩ @ VGS=4.5V (Typ:65

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top