Справочник MOSFET. NCE0117K

 

NCE0117K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE0117K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-2L
 

 Аналог (замена) для NCE0117K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0117K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  1
nce0117k.pdfpdf_icon

NCE0117K

NCE0117Khttp://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 ..2. Size:436K  ncepower
nce0117k.pdfpdf_icon

NCE0117K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0117KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 7.1. Size:373K  ncepower
nce0117.pdfpdf_icon

NCE0117K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE0117NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 7.2. Size:653K  ncepower
nce0117ak.pdfpdf_icon

NCE0117K

NCE0117AKhttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE0117AK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =100V,I =17ADS DR

Другие MOSFET... FS10KM-2 , FTP50N20R , JCS12N65T , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A , MMD65R600QRH , MT3245 , P55NF06 , NTMFS4C55N , SI9953DY , STP110N7F6 , SUP85N03-07P , SUB85N03-07P , SVF4N60CAF , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD .

History: IVN5000AND | SMG2390N | SD212 | IRFH5215 | TP2301PR | WMK023N08HGS | RUM002N02T2L

 

 
Back to Top

 


 
.