NCE0117K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE0117K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE0117K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE0117K даташит

 ..1. Size:441K  1
 nce0117k.pdf pdf_icon

NCE0117K

NCE0117K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 ..2. Size:436K  ncepower
 nce0117k.pdf pdf_icon

NCE0117K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0117K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 7.1. Size:373K  ncepower
 nce0117.pdf pdf_icon

NCE0117K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE0117 NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

 7.2. Size:653K  ncepower
 nce0117ak.pdf pdf_icon

NCE0117K

NCE0117AK http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0117AK uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =100V,I =17A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FS10KM-2, FTP50N20R, JCS12N65T, JCS12N65CT, JCS12N65FT, ME4410A, MMD65R600QRH, MT3245, 8205A, NTMFS4C55N, SI9953DY, STP110N7F6, SUP85N03-07P, SUB85N03-07P, SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD