UTC7N65L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTC7N65L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220

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UTC7N65L datasheet

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UTC7N65L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N65 Power MOSFET 7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

Otros transistores... SUP85N03-07P, SUB85N03-07P, SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN, SVF4N60CAMJ, STP75NF75, WFP75N08, IPU105N03LG, IPU64CN10NG, IPF039N03LG, IPF090N03LG, 7N80L-TA3-T, 7N80L-TF3-T, 7N80L-TF1-T