Справочник MOSFET. UTC7N65L

 

UTC7N65L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: UTC7N65L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 29 nC

Время нарастания (tr): 170 ns

Выходная емкость (Cd): 180 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для UTC7N65L

 

 

UTC7N65L Datasheet (PDF)

1.1. utc7n65l.pdf Size:165K _1

UTC7N65L UTC7N65L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N65 Power MOSFET 7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top