UTC7N65L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: UTC7N65L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для UTC7N65L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTC7N65L даташит

 ..1. Size:165K  1
 utc7n65l.pdf pdf_icon

UTC7N65L

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 7N65 Power MOSFET 7.4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 7N65 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

Другие IGBT... SUP85N03-07P, SUB85N03-07P, SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN, SVF4N60CAMJ, STP75NF75, WFP75N08, IPU105N03LG, IPU64CN10NG, IPF039N03LG, IPF090N03LG, 7N80L-TA3-T, 7N80L-TF3-T, 7N80L-TF1-T