WFP75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WFP75N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 173 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 80 nC

Tiempo de elevación (tr): 225 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 940 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WFP75N08

WFP75N08 Datasheet (PDF)

1.1. wfp75n08.pdf Size:759K _1

Wisdom Semiconductor WFP75N08 N-Channel MOSFET Features 2. Drain Symbol ■ RDS(on) (Max 0.015 Ω )@VGS=10V ● ● ■ Gate Charge (Typical 80nC) ◀ ■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness ◀ ▲ ▲ ● 1. Gate ● ● ● ■ 100% Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range (175°C) 3. Source General Description TO-220 This Power

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