WFP75N08 Todos los transistores

 

WFP75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WFP75N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de WFP75N08 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WFP75N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  1
wfp75n08.pdf pdf_icon

WFP75N08

Wisdom SemiconductorWFP75N08N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.015 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175C)3. Source General DescriptionTO-220This Power

Otros transistores... SUB85N03-07P , SVF4N60CAF , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , 12N60 , IPU105N03LG , IPU64CN10NG , IPF039N03LG , IPF090N03LG , 7N80L-TA3-T , 7N80L-TF3-T , 7N80L-TF1-T , 7N80L-TQ2-R .

History: SI4435BDY | NTGS4111PT | WMQ090N04LG2

 

 
Back to Top

 


 
.