WFP75N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WFP75N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 173 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 225 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de WFP75N08 MOSFET
WFP75N08 Datasheet (PDF)
wfp75n08.pdf

Wisdom SemiconductorWFP75N08N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.015 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175C)3. Source General DescriptionTO-220This Power
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History: SI4435BDY | NTGS4111PT | WMQ090N04LG2
History: SI4435BDY | NTGS4111PT | WMQ090N04LG2



Liste
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