WFP75N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WFP75N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP75N08 Datasheet (PDF)
..1. Size:759K 1
wfp75n08.pdf
wfp75n08.pdf
Wisdom SemiconductorWFP75N08N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.015 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175C)3. Source General DescriptionTO-220This Power
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918