WFP75N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WFP75N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO-220
WFP75N08 Datasheet (PDF)
wfp75n08.pdf

Wisdom SemiconductorWFP75N08N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.015 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175C)3. Source General DescriptionTO-220This Power
Другие MOSFET... SUB85N03-07P , SVF4N60CAF , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , 12N60 , IPU105N03LG , IPU64CN10NG , IPF039N03LG , IPF090N03LG , 7N80L-TA3-T , 7N80L-TF3-T , 7N80L-TF1-T , 7N80L-TQ2-R .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198