Справочник MOSFET. WFP75N08

 

WFP75N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: WFP75N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 173 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 80 nC

Время нарастания (tr): 225 ns

Выходная емкость (Cd): 940 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для WFP75N08

 

 

WFP75N08 Datasheet (PDF)

1.1. wfp75n08.pdf Size:759K _1

WFP75N08
WFP75N08

Wisdom Semiconductor WFP75N08 N-Channel MOSFET Features 2. Drain Symbol ■ RDS(on) (Max 0.015 Ω )@VGS=10V ● ● ■ Gate Charge (Typical 80nC) ◀ ■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness ◀ ▲ ▲ ● 1. Gate ● ● ● ■ 100% Avalanche Tested ■ Maximum Junction Temperature Range (175°C) 3. Source General Description TO-220 This Power

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top