Справочник MOSFET. WFP75N08

 

WFP75N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WFP75N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для WFP75N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP75N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:759K  1
 wfp75n08.pdf pdf_icon

WFP75N08

Wisdom SemiconductorWFP75N08N-Channel MOSFETFeatures 2. DrainSymbol RDS(on) (Max 0.015 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175C)3. Source General DescriptionTO-220This Power

Другие MOSFET... SUB85N03-07P , SVF4N60CAF , SVF4N60CAK , SVF4N60CAD , SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , 12N60 , IPU105N03LG , IPU64CN10NG , IPF039N03LG , IPF090N03LG , 7N80L-TA3-T , 7N80L-TF3-T , 7N80L-TF1-T , 7N80L-TQ2-R .

History: TMU830 | JCS630SA | HYG035N10NS2P

 

 
Back to Top

 


 
.