WFP75N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WFP75N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 173 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для WFP75N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WFP75N08 даташит

 ..1. Size:759K  1
 wfp75n08.pdf pdf_icon

WFP75N08

Wisdom Semiconductor WFP75N08 N-Channel MOSFET Features 2. Drain Symbol RDS(on) (Max 0.015 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 1. Gate 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (175 C) 3. Source General Description TO-220 This Power

Другие IGBT... SUB85N03-07P, SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT, SVF4N60CAMN, SVF4N60CAMJ, UTC7N65L, AON7408, IPU105N03LG, IPU64CN10NG, IPF039N03LG, IPF090N03LG, 7N80L-TA3-T, 7N80L-TF3-T, 7N80L-TF1-T, 7N80L-TQ2-R