IPF090N03LG Todos los transistores

 

IPF090N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPF090N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de IPF090N03LG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPF090N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  1
 ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf pdf_icon

IPF090N03LG

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 9.1. Size:413K  infineon
 ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf pdf_icon

IPF090N03LG

IPD09N03LA IPF09N03LAIPS09N03LA IPU09N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 8.6mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Otros transistores... SVF4N60CAT , SVF4N60CAMN , SVF4N60CAMJ , UTC7N65L , WFP75N08 , IPU105N03LG , IPU64CN10NG , IPF039N03LG , 5N60 , 7N80L-TA3-T , 7N80L-TF3-T , 7N80L-TF1-T , 7N80L-TQ2-R , 7N80L-TQ2-T , 7N80G-TA3-T , 7N80G-TF3-T , 7N80G-TF1-T .

History: PH1730AL | AUIRLR3705ZTR | ME2310 | PM3400 | IXTC230N085T

 

 
Back to Top

 


 
.