IPF090N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPF090N03LG

Código: 090N03L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 500 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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IPF090N03LG Datasheet (PDF)

1.1. ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf Size:538K _1

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS®3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Fast switching MOSFET for SMPS R 9 mΩ DS(on),max • Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low

5.1. ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf Size:413K _infineon

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: