Справочник MOSFET. IPF090N03LG

 

IPF090N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPF090N03LG

Маркировка: 090N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 15 nC

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPF090N03LG

 

 

IPF090N03LG Datasheet (PDF)

1.1. ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf Size:538K _1

IPF090N03LG
IPF090N03LG

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS®3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Fast switching MOSFET for SMPS R 9 mΩ DS(on),max • Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low

5.1. ipd09n03la ipf09n03la ips09n03la ipu09n03la.pdf Size:413K _infineon

IPF090N03LG
IPF090N03LG

IPD09N03LA IPF09N03LA IPS09N03LA IPU09N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS • Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.6 mΩ DS(on),max • Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top