CMP100N04 Todos los transistores

 

CMP100N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMP100N04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO220

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CMP100N04 datasheet

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CMP100N04

CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The100N04 is N-ch MOSFE Ts BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 40V

 ..2. Size:823K  cn vbsemi
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CMP100N04

CMP100N04 www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0055 at VGS = 10 V 100 COMPLIANT 40 130 nC 0.0070 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS Synchronous Rectification TO-220AB Power Supplies D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUT

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History: AP4523GD | VB3222 | VS6880AT | NCE60H10F | AP4961GM | 4N60KL-TF1-T

 

 

 

 

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