Справочник MOSFET. CMP100N04

 

CMP100N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMP100N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CMP100N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMP100N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1019K  1
 cmp100n04 cmb100n04 cmi100n04.pdf pdf_icon

CMP100N04

CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04N-Ch 40V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe100N04 is N-ch MOSFETs BVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,40V

 ..2. Size:823K  cn vbsemi
 cmp100n04.pdf pdf_icon

CMP100N04

CMP100N04www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0055 at VGS = 10 V 100COMPLIANT 40 130 nC0.0070 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONS Synchronous RectificationTO-220AB Power SuppliesDGSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUT

Другие MOSFET... 7N80L-TQ2-R , 7N80L-TQ2-T , 7N80G-TA3-T , 7N80G-TF3-T , 7N80G-TF1-T , 7N80G-TQ2-R , 7N80G-TQ2-T , AO3419L , IRF530 , CMB100N04 , CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G .

History: SM6F24NSUB | IRF540Z | SL8820

 

 
Back to Top

 


 
.