CMP100N04 - описание и поиск аналогов

 

CMP100N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMP100N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CMP100N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMP100N04 даташит

 ..1. Size:1019K  1
 cmp100n04 cmb100n04 cmi100n04.pdf pdf_icon

CMP100N04

CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The100N04 is N-ch MOSFE Ts BVDSS RDSON ID with extreme high cell density , 40V

 ..2. Size:823K  cn vbsemi
 cmp100n04.pdf pdf_icon

CMP100N04

CMP100N04 www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0055 at VGS = 10 V 100 COMPLIANT 40 130 nC 0.0070 at VGS = 4.5 V 90 APPLICATIONS Synchronous Rectification TO-220AB Power Supplies D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUT

Другие MOSFET... 7N80L-TQ2-R , 7N80L-TQ2-T , 7N80G-TA3-T , 7N80G-TF3-T , 7N80G-TF1-T , 7N80G-TQ2-R , 7N80G-TQ2-T , AO3419L , IRF1010E , CMB100N04 , CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G .

History: 2SK293 | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.