CMB100N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMB100N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 260 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 84 nC
Tiempo de subida (tr): 112 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1300 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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CMB100N04 Datasheet (PDF)
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CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04N-Ch 40V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe100N04 is N-ch MOSFETs BVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,40V
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