CMB100N04 Todos los transistores

 

CMB100N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMB100N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CMB100N04 Datasheet (PDF)

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 cmp100n04 cmb100n04 cmi100n04.pdf pdf_icon

CMB100N04

CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04N-Ch 40V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe100N04 is N-ch MOSFETs BVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,40V

Otros transistores... 7N80L-TQ2-T , 7N80G-TA3-T , 7N80G-TF3-T , 7N80G-TF1-T , 7N80G-TQ2-R , 7N80G-TQ2-T , AO3419L , CMP100N04 , AON7506 , CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z .

History: AUIRFS4610TRL | APT8024JFLL | STD4NK100Z | 2SK2237 | 2SJ450 | NTD65N03R-035 | JCS7N70R

 

 
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