CMB100N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CMB100N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO263
CMB100N04 Datasheet (PDF)
cmp100n04 cmb100n04 cmi100n04.pdf

CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04N-Ch 40V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe100N04 is N-ch MOSFETs BVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,40V
Другие MOSFET... 7N80L-TQ2-T , 7N80G-TA3-T , 7N80G-TF3-T , 7N80G-TF1-T , 7N80G-TQ2-R , 7N80G-TQ2-T , AO3419L , CMP100N04 , AON7506 , CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z .
History: 2SK2756-01R
History: 2SK2756-01R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249