Справочник MOSFET. CMB100N04

 

CMB100N04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CMB100N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
   Время нарастания (tr): 112 ns
   Выходная емкость (Cd): 1300 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CMB100N04

 

 

CMB100N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1019K  1
 cmp100n04 cmb100n04 cmi100n04.pdf

CMB100N04 CMB100N04

CMP100N04/CMB100N04/CMI100N04N-Ch 40V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe100N04 is N-ch MOSFETs BVDSS RDSON ID with extreme high cell density ,40V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top