PDEC3907Z Todos los transistores

 

PDEC3907Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDEC3907Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PPAK3X3

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PDEC3907Z datasheet

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PDEC3907Z

30V P-Channel MOSFETs PDEC3907Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 20m -30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-30A, RDS(ON) =20m @VGS = -10V performance, and withstand high

Otros transistores... CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , AO4407 , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F .

History: 2SK3835 | PJM3401PSA | CS8N80A8H | AP4532GM-HF | SMK0825FZ | APM2605C | CS8N60ARD

 

 

 

 

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