PDEC3907Z Todos los transistores

 

PDEC3907Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDEC3907Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de PDEC3907Z MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PDEC3907Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  1
pdec3907z.pdf pdf_icon

PDEC3907Z

30V P-Channel MOSFETs PDEC3907Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 20m -30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-30A, RDS(ON) =20m@VGS = -10V performance, and withstand high

Otros transistores... CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , AO4407 , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F .

History: FDP150N10 | SGO4606T | STLT19

 

 
Back to Top

 


History: FDP150N10 | SGO4606T | STLT19

PDEC3907Z
  PDEC3907Z
  PDEC3907Z
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent

 


 
.