PDEC3907Z Todos los transistores

 

PDEC3907Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDEC3907Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK3X3
 

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PDEC3907Z Datasheet (PDF)

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PDEC3907Z

30V P-Channel MOSFETs PDEC3907Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 20m -30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-30A, RDS(ON) =20m@VGS = -10V performance, and withstand high

Otros transistores... CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , IRFP450 , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F .

History: SFW9640 | FQAF11N90C | SNN3100L10D | FDS8984 | RQ5E040TN | WMJ12N120D1 | SDD02N70

 

 
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