PDEC3907Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDEC3907Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: PPAK3X3
Аналог (замена) для PDEC3907Z
PDEC3907Z Datasheet (PDF)
pdec3907z.pdf
30V P-Channel MOSFETs PDEC3907Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 20m -30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-30A, RDS(ON) =20m@VGS = -10V performance, and withstand high
Другие MOSFET... CMI100N04 , HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , AO4407 , PFB2N60 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F .
History: SE4607 | SWP630D | 2SK3652 | JMPL1025AE | SSI7N60B | SKQ55P02AD
History: SE4607 | SWP630D | 2SK3652 | JMPL1025AE | SSI7N60B | SKQ55P02AD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent


