PDEC3907Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PDEC3907Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: PPAK3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PDEC3907Z Datasheet (PDF)
pdec3907z.pdf

30V P-Channel MOSFETs PDEC3907Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 20m -30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-30A, RDS(ON) =20m@VGS = -10V performance, and withstand high
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: H7N0405LM | AOD522 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | FQD5P10TM
History: H7N0405LM | AOD522 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | FQD5P10TM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent