PFB2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PFB2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de PFB2N60 MOSFET
PFB2N60 Datasheet (PDF)
pfb2n60 pff2n60.pdf

Pyramis Corporation PFB2N60/PFF2N60The Silicon System Solutions Companywww.DataSheet4U.comPRELIMINARYN-Channel MOSFETApplications:Adaptor ChargerSMPS Standby PowerLCD Panel PowerVDSS RDS(ON) typical IDFeatures:600V 3.7 2.1A Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesOrdering In
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History: LNG5N50 | IRFS7434 | LNG5N65B | JMSH1552PP | NCE70N1K1I | KP748A | CSD19538Q3A
History: LNG5N50 | IRFS7434 | LNG5N65B | JMSH1552PP | NCE70N1K1I | KP748A | CSD19538Q3A



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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