PFB2N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PFB2N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для PFB2N60
PFB2N60 Datasheet (PDF)
pfb2n60 pff2n60.pdf

Pyramis Corporation PFB2N60/PFF2N60The Silicon System Solutions Companywww.DataSheet4U.comPRELIMINARYN-Channel MOSFETApplications:Adaptor ChargerSMPS Standby PowerLCD Panel PowerVDSS RDS(ON) typical IDFeatures:600V 3.7 2.1A Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve Inductive Switching CurvesOrdering In
Другие MOSFET... HY4306W , HY4306A , MDF1723 , ME4410AD , ME4970 , ME4970G , NDP04N60Z , PDEC3907Z , 18N50 , PFF2N60 , SI4947ADY , STD180N4F6 , SUP65P06-20 , SUB65P06-20 , SVD3205T , SVF12N65F , SVF12N65T .
History: FQPF12N60 | JMSH1552PP | KP748A | LNG5N65B | JMSH0805PC | CJPF10N60
History: FQPF12N60 | JMSH1552PP | KP748A | LNG5N65B | JMSH0805PC | CJPF10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31